Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака

Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры серии тройных соединений A$^{\rm IV}$B$^{\rm VI}\cdot$A$^{\rm V}_2$B$^{\rm VI}_3$, состоящих из семислойных атомных блоков, разделенных ван дер ваальсовскими промежутками. Также рассмотрены соединения YbBi(Sb)$_2$Te$_4$, для которых предсказывается аналогичная атомная структура. Показано, что большинство соединений на основе элементов IV группы, как и YbBi$_2$Te$_4$, являются трехмерными топологическими изоляторами. На основе расчетов поверхностной электронной структуры соединений MBi$_2$Te$_4$, где M – элементы четвертой группы и Yb, показана эффективная возможность управления дираковским проводящим поверхностным состоянием за счет первого элемента.