Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами

Оптическими методами исследовались процессы, возникающие при приложении постоянного поперечного электрического поля к $n{-}i{-}n$-гетероструктуре GaAs/AlGaAs с одиночными квантовыми ямами и асимметричными двойными туннельно-связанными квантовыми ямами. Различие в энергиях экситонных переходов для квантовых ям разной ширины позволило соотнести наблюдавшиеся пики фотолюминесценции с каждой конкретной парой ям или одиночной квантовой ямой. По величине штарковского сдвига и расщепления экситонных линий в широком диапазоне внешнего электрического напряжения было определено локальное для каждой квантовой ямы значение электрического поля. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение немонотонного распределения электрического поля по глубине гетероструктуры.