Структурный фазовый переход в смешанном состоянии сверхпроводящих пленок в параллельном магнитном поле

В лондоновском приближении рассматривается тонкая пленка сверхпроводника второго рода в параллельном поверхности магнитном поле. Показано, что в отсутствие объемного пиннинга и в пренебрежении подавлением сверхпроводимости магнитным полем, в зависимости от величины отношения толщины пленки $d$ к глубине проникновения магнитного поля $\lambda$ расслоение вихревой цепочки в пленке происходит либо как структурный фазовый переход первого рода, либо как структурный фазовый переход второго рода. Изменяя температуру, можно изменять отношение $d/\lambda$ , соответственно изменяя характер перехода в вихревой решетке. Рассчитаны соответствующие критические толщины пленок и диапазоны полей, в которых возможно экспериментальное наблюдение данного эффекта.