Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния

Сообщается об обнаружении интенсивной терагерцовой электролюминесценции в SiC\d структурах с минизонным характером электронного спектра, обусловленным естественной сверхрешеткой. Форма линии терагерцового излучения, линейная зависимость положения ее максимума от напряжения смещения, характерное значение напряженности поля, требуемого для достижения излучения, а кроме того, преимущественная поляризация излучения вдоль оси сверхрешетки свидетельствуют о том, что обнаруженное излучение возникает в результате возбуждения стационарных блоховских осцилляций электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния.