О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках

Локальное электрон-фононное взаимодействие в состояниях глубоких уровней дефектов полупроводников изучалось методами спектроскопии индуцированного поглощения света. На примере монокристаллов ZnS:Cu показано, что метод лазерной модуляции двухступенчатого примесного поглощения является эффективным инструментом для прямых исследований фононных релаксационных эффектов в состояниях глубоких дефектов. Показано, что локальные состояния в ZnS подвержены чрезвычайно сильной электрон-фононной связи.