Аннотация:
Методом неупругого рассеяния света исследованы коллективные внутризонные возбуждения зарядовой плотности квазидвумерной электронной системы в двойных GaAs/AlGaAs квантовых ямах во внешнем параллельном магнитном поле $B_{\parallel}$. Обнаружено, что энергия исследуемых возбуждений (акустического и оптического плазмонов) демонстрирует анизотропию в зависимости от взаимной ориентации $B_{\parallel}$ и квазиимпульса возбуждения $k$. Теоретически показано, что в сильном параллельном магнитном поле эффекты, связанные с конечной шириной квантовых ям, преобладают над эффектами, связанными с туннелированием между слоями, и определяют анизотропию плазмонов. Проведено сопоставление экспериментальных данных с теоретическим расчетом.