RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2003, том 78, выпуск 12, страницы 1289–1292 (Mi jetpl2696)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором

И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получена и исследована транзисторная структура GaAs/ZnSe/КТ–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором из квантовых точек германия. Показано, что при освещении светом с длиной волны более 0.5 мк наблюдается положительное, а при меньших длинах волн отрицательное изменение тока канала, связанное с зарядкой квантовых точек. Измерения релаксационных кривых после выключения освещения показывают, что спад тока продолжается в течение от десятков секунд вплоть до нескольких часов в зависимости от температуры образца. Указанные изменения тока канала и релаксационных кривых объясняются на основе трех типов переходов в квантовых точках при поглощении излучения с привлечением изменения состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии в результате накопления заряда на квантовых точках.

PACS: 78.67.Hc


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, 78:12, 768–771

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024