Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле

Экспериментально и теоретически изучен механизм расщепления линии циклотронного резонанса в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле. Показано, что подмешивание состояний электронов и дырок приводит к антикроссингу уровней Ландау и, как следствие, к расщеплению линии циклотронного резонанса. В случае наклонного магнитного поля расщепление не наблюдается, что объясняется подавлением подмешивания электронных и дырочных состояний за счет возникновения дополнительного барьера для электронов и дырок при наличии продольной составляющей магнитного поля.