Об эффективной массе электронов кремниевых полевых структур при малых электронных плотностях

Метод пробной волновой функции, развитый в работах [10,11] для случая узкой $s$-зоны в совершенном кристалле, адаптирован для вычисления зависимости эффективной массы и фактора Ланде в двумерной электронной системе малой плотности. Обнаружено, что эффективная масса имеет тенденцию к расходимости при некоторой критической концентрации, а $g$-фактор остается конечным.