Полевая электронная эмиссия из Ge-Si наноструктур с квантовыми точками

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены самоорганизованные массивы Ge-Si кластеров, размерами $\sim10\,$нм и плотностью $\sim10^{10}$см$^{-2}$. Обнаружена и исследована стабильная стационарная полевая электронная эмиссия из таких кластеров. Характеристики эмиссии отличаются наличием резонансных пиков тока, объясняемых квантованием энергии электронов в нанокластерах. Оценка энергии основного уровня их эмиссионных измерений совпадает с оценками, полученными другими методами.