Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах

Исследован спектр возбужденных состояний экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs различной ширины и его изменение из-за экранирования электронно-дырочного взаимодействия двумерными электронами. Обнаружено резкое уменьшение энергии связи экситонов при увеличении концентрации двумерных электронов и изучена температурная зависимость параметров экранирования основного и возбужденного состояний экситонов вплоть до сверхнизких температур $T=50$ мК.