Аннотация:
Сообщается о наблюдении дальнего ИК излучения в гетероструктурах II рода. Образцы представляют собой десятипериодные каскадные структуры, каждый период которых включает квантовые ямы InAs и AlGaAsSb, разделенные варизонным барьером. Результаты исследования вертикального транспорта и электролюминесценции свидетельствуют о том, что излучение обусловлено переходами между состояниями электронов и дырок, находящимися в соседних квантовых ямах.