Барьерные $D^-$ комплексы в высокоподвижной двумерной электронной системе

Методом неупругого рассеяния света исследован спектр циклотронных возбуждений селективно легированных AlGaAs/GaAs квантовых ям с большими (до $2\cdot10^7$ см${}^2/$В$\cdot$c с подвижностями электронов. Обнаружены и идентифицированы линии неупругого рассеяния света возбуждений барьерных $D^-$ комплексов – объектов, в которых два электрона, локализованных в квантовой яме, связываются с заряженной примесью в барьере. Показано, что из-за особенностей кулоновского взаимодействия в двумерных системах спин-синглетные $D^-$ комплексы существуют во всем диапазоне факторов заполнения электронов от $\nu \rightarrow 0$ до $\nu=2$. Исследовано изменение энергии возбуждений спин-синглетных $D^-$ комплексов в зависимости от электронной концентрации, ширины квантовой ямы и магнитного поля.