В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 2008, том 88, выпуск 12,страницы 905

Эта публикация цитируется в 10 статьях

АТОМЫ, СПЕКТРЫ, ИЗЛУЧЕНИЯ

Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP

В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский

Институт физики микроструктур РАН 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: На основе генерации разностной частоты в кристалле GaP создан перестраиваемый источник излучения терагерцового диапазона (1–4 ТГц) с шириной линии 12 ГГц. В качестве накачки было использовано излучение импульсного лазера Nd:YAG, генерирующего излучение с длиной волны 1064 нм, и перестраиваемого параметрического генератора света. Излучение генерировалось импульсами с длительностью 10 нс с частотой повторения 10 Гц. Мощность излучения в импульсе была около 15 мВт.

PACS: 42.70.Nq, 42.79.Nv

Поступила в редакцию: 17.11.2008