Т. Е. Голикова, Ф. Хюблер, Д. Бекман, Н. В. Кленов, С. В. Бакурский, М. Ю. Куприянов, И. Е. Батов, В. В. Рязанов, “Критический ток в планарных джозефсоновских S–N–S-системах”, Письма в ЖЭТФ, 2012, том 96, выпуск 10,страницы 743

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Критический ток в планарных джозефсоновских S–N–S-системах

Т. Е. Голикова^a, Ф. Хюблер^b, Д. Бекман^b, Н. В. Кленов^c, С. В. Бакурский^c, М. Ю. Куприянов^c, И. Е. Батов^a, В. В. Рязанов^ad

^a Институт физики твердого тела РАН
^b Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology
^c Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова
^d Московский физико-технический институт (государственный университет)

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы особенности эффекта близости и джозефсоновского поведения планарных субмикронных S–N–S-структур, изготовленных с помощью электронной литографии и теневого напыления. Обнаружено резкое повышение критического тока структур при понижении температуры, связанное с изменением эффективного размера слабой связи за счет включения дополнительной SN-границы.

Поступила в редакцию: 17.10.2012