Аннотация:
Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура
экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму
Странского–Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное
увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых
точек до значений ${\sim}\,10^{2}$ мкэВ. Показано, что в интервале энергий
экситонов $1.3$–$1.4$ эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с
естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для
разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек.