RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2013, том 97, выпуск 5, страницы 313–318 (Mi jetpl3370)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

А. В. Гайслерa, А. С. Ярошевичa, И. А. Деребезовa, А. К. Калагинa, А. К. Бакаровa, А. И. Тороповa, Д. В. Щегловab, В. А. Гайслерac, А. В. Латышевab, А. Л. Асеевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму Странского–Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых точек до значений ${\sim}\,10^{2}$ мкэВ. Показано, что в интервале энергий экситонов $1.3$$1.4$ эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек.

Поступила в редакцию: 05.02.2013

DOI: 10.7868/S0370274X1305007X


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, 97:5, 274–278

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024