Аннотация:
Представлены результаты структурных и магнитных исследований эпитаксиальной
структуры, полученной при одновременном напылении из двух источников железа и
кремния на атомарно чистую поверхность Si(111)7$\times$7
при температуре подложки $150\,^\circ$С.
Методами рентгеноструктурного анализа, просвечивающей электронной микроскопии и
дифракции отраженных быстрых электронов эпитаксиальная структура
идентифицирована как монокристаллическая пленка силицида Fe$_3$Si с ориентацией
Si[111]$\parallel$Fe$_3$Si[111]. Установлено, что эпитаксиальная пленка
Fe$_3$Si при комнатной
температуре обладает магнитной одноосной анизотропией ($H_a=26\,$Э) и имеет
сравнительно узкую линию однородного ферромагнитного резонанса
($\Delta H=11.57\,$Э),
измеренную на частоте накачки $2.274$ ГГц.