Анализ структуры и магнитных свойств интерфейса в многослойных наноструктурах (Fe/Si)$_{N}$ с применением поверхностно-чувствительного метода XMCD

Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств наноструктур (Fe/Si)$_{N}$, полученных при последовательном напылении на поверхность SiO$_{2}$/Si(100) при температуре подложки $300$ K. Измерения методом просвечивающей электронной микроскопии позволили определить толщины всех слоев Fe и Si. Магнитные свойства исследованы методом рентгеновского магнитного кругового дихроизма (XMCD) вблизи $L_{3,2}$-краев поглощения Fe. Разделены орбитальный (\emph{m$_{l}$}) и спиновый (\emph{m$_{S}$}) вклады в полный магнитный момент железа. С использованием поверхностной чувствительности метода XMCD и модели интерфейса из немагнитной и ослабленной магнитной фаз, определены толщины магнитного и немагнитного силицида Fe на интерфейсах Si/Fe и Fe/Si.