Моделирование процесса образования вакансий при сканировании поверхности Cu(100)

Методом молекулярной динамики исследованы основные механизмы образования вакансий в первом слое поверхности Cu(100). Показано, что в результате взаимодействия иглы сканирующего туннельного микроскопа с поверхностью интенсивность образования поверхностных вакансий может увеличиться в $10^3$–$10^5$ раз. Основываясь на проведенных исследованиях, мы предлагаем эффективный метод настройки концентрации вакансий в первом слое поверхности Cu(100), не связанный с изменением температуры системы.