Аннотация:
Представлены данные экспериментального исследования циклотронного резонанса в двумерной электронной системе с искусственным случайным рассеивающим потенциалом, обусловленным наличием массива самоорганизующихся квантовых островков AlInAs, образованного в плоскости гетероперехода AlGaAs/GaAs. Обнаружено резкое сужение линии циклотронного резонанса с увеличением магнитного поля, объясняемое особенностями рассеяния носителей в данном потенциале. Полученные результаты указывают на формирование сильно коррелированного электронного состояния в сильных магнитных полях при концентрациях носителей, меньших, чем концентрация антиточек.
PACS:71.70.-d, 73.20.Dx, 76.40.+b
Поступила в редакцию: 29.01.2001 Исправленный вариант: 14.11.2001