Фазовый состав пленок системы Ti-С, полученных при технологических условиях алмазообразования и содержании углерода свыше $50$ ат.$\%$

Методом дифракции электронов изучен фазовый состав пленок системы Ti-C (концентрация C изменялась от $50$ до $100$ ат.$\%$), полученных методом ионного распыления C и Ti с последующим осаждением паров, которые обладали предельно низким пересыщением. При конденсации паров в соответствующих пропорциях установлено образование соединения TiC$_2$, имеющее ОЦК решетку с периодом $0.294$ нм. Увеличение содержания C свыше $64$ ат.$\%$ сопровождается переходом к алмазной фазе.