Эффекты слабой локализации в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием

Измерялось магнитосопротивление $\rho _{xx}$ квазиодномерной электронной системы над жидким гелием в области газового рассеяния (область температур $1.3$ – $2.0$ К). Показано, что с увеличением магнитного поля магнитосопротивление вначале уменьшается, а затем, пройдя минимум, начинает возрастать по закону $\rho _{xx} \sim B^2$. Сделано предположение о том, что обнаруженное в опытах отрицательное магнитосопротивление обусловлено эффектами слабой локализации. Результаты эксперимента качественно согласуются с теоретической моделью, описывающей процессы слабой локализации в одномерных невырожденных электронных системах.