Сегрегация бора, имплантированного в кремний, на угловых конфигурациях границы окисления кремний/двуокись кремния

На основе компьютерного моделирования физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал (кремний), изучаются особенности инжекции бора B на 4 типах угловых конфигурациях границы окисления «кремний/двуокись кремния» (прямой и обратный уступы, каверны типа «траншея» и «квадрат»), получены и проанализированы в главных чертах сложные картины распределения концентраций B в областях Si, SiO$_2$ и фронте SiO$_2$/Si.