Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками

Экспериментально показано, что возбуждение межзонных оптических переходов в массивах квантовых точек Ge/$n$-Si(001) приводит к уменьшению концентрации электронов в зоне проводимости. Обнаруженное явление обусловлено формированием отрицательно заряженных экситонных комплексов в островках Ge и является первым экспериментальным подтверждением пространственного разделения электронов в окружающей островки кремниевой матрице.