Электронное строение композитных сегментированных нанотрубок SiC/BN

С помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн рассчитана электронная структура сегментированных нанотрубок, составленных из чередующихся слоев нанотрубок BN и SiC (5,5) и (9,0) конфигурации кресло и зигзаг и различающихся ориентацией химических связей в сегментах, а также природой связей (Si-N и B-C или Si-B и N-C) на границах участков BN и SiC. Расчеты проведены с использованием функционала локальной плотности и маффинтин приближения для электронного потенциала. Установлено, что в зависимости от связей на границах сегментов нанотрубки BN/SiC (5,5) являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны $E_g$ от 1 до 3 эВ, а нанотрубки BN/SiC (9,0) обладают металлическим, полуметаллическим или полупроводниковым ($E_g\sim1$ эВ) типом зонной структуры.