Аннотация:
Исследовано поведение сопротивления и магнитосопротивления гексаборида
лантана с изолированными (${\sim}\,1\,\%$) магнитными примесями Се и Но. Показано,
что низкотемпературный рост удельного сопротивления не является кондовским, а
характеризует режим слабой локализации носителей заряда. Отрицательное
магнитосопротивление, наблюдаемое в
Сe$_x$La$_{1-x}$B$_6$ и Ho$_x$La$_{1-x}$B$_6$ при гелиевых температурах, также
не описывается моделью Кондо, отвечая
возникновению многочастичных состояний спин-поляронного типа в LaB$_6$ в
окрестности редкоземельных ионов.