Спектральная зависимость анизотропной пикосекундной фотопроводимости в кубических полупроводниках

Методом “оптическое возбуждение – терагерцовое зондирование” исследована спектральная зависимость анизотропной пикосекундной фотопроводимости в кубическом полупроводнике InGaAs, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Показано, что анизотропия фотопроводимости, обусловленная эффектом выстраивания фотовозбужденных носителей заряда по импульсам и зависимостью их подвижности от энергии, немонотонным образом зависит от энергии кванта возбуждающего оптического излучения и достигает максимальной величины при энергии возбуждающих фотонов вблизи порога перехода электронов в боковые долины.