Двумерные электроны кремниевых полевых структур ориентации (100) в области малой концентрации и высокой подвижности

Проведен сравнительный анализ экспериментальных данных, относящихся к области высокой проводимости и сильного межэлектронного взаимодействия в (100)-Si MOSFET. Продемонстрирована возможность описания электронов с помощью модели невзаимодействующего газа с перенормированной массой и фактором Ланде, позволяющей делать экспериментально проверяемые предсказания.