Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях

Проведено детальное исследование рассеяния двумерных электронов в широких ($d=(18$–$22)$ нм) квантовых ямах на основе HgTe. Обнаружены выход на максимум и последующее падение подвижности при концентрациях двумерных электронов, превышающих $(2$–$6)\,{\cdot}\,10^{11}$ см$^{-2}$, вызванные рассеянием на шероховатостях квантовой ямы. Построена теория рассеяния на этих шероховатостях, принимающая в расчет трансформацию волновой функции с ростом электронной концентрации. Получено хорошее согласие эксперимента и указанной теории. На основе этого сделан вывод о существовании поверхностных состояний на границах широкой HgTe квантовой ямы.