Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$

Исследован механизм транспорта заряда в тонких аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$. Показано, что в изучаемых материалах механизм транспорта не зависит от кристаллической фазы и является фонон-облегченным туннелированием между ловушками. В результате сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик структур TiN/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/Pt с рассчитанными определены параметры ловушки: термическая энергия $1.25$ эВ и оптическая энергия $2.5$ эВ. Оценена концентрация ловушек: ${\sim}10^{19}{-}10^{20}$ см$^{-3}$.