RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2016, том 103, выпуск 5, страницы 359–364 (Mi jetpl4882)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Неупругое рассеяние света электронными и фононными возбуждениями FeSi

Ю. С. Поносовab, А. О. Шориковab, С. В. Стрельцовab, А. В. Лукояновab, Н. И. Щеголихинаa, А. Ф. Прекулa, В. И. Анисимовab

a Институт физики металлов им. М.Н.Михеева УрО РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
b Уральский федеральный университет им. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Исследована температурная эволюция (10–500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике FeSi. Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500–600 см$^{-1}$ при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной $\sim$ 70 мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор–плохой металл.

Поступила в редакцию: 21.01.2016
Исправленный вариант: 01.02.2016

DOI: 10.7868/S0370274X16050064


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, 103:5, 316–320

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024