Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона

Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с Si кристаллом толщиной 50 мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения.