RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2016, том 103, выпуск 12, страницы 846–850 (Mi jetpl4985)

Эта публикация цитируется в 31 статьях

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Абляция поверхности алюминия и кремния ультракороткими лазерными импульсами варьируемой длительности

Д. А. Заярныйa, А. А. Ионинa, С. И. Кудряшовabc, С. В. Макаровad, А. А. Кучмижакbe, О. Б. Витрикbe, Ю. Н. Кульчинb

a Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Институт автоматики и систем управления ДВО РАН, 690041 Владивосток, Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, 115409 Москва, Россия
d Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
e Дальневосточный федеральный университет, 690041 Владивосток, Россия

Аннотация: Пороги одноимпульсной абляции поверхности алюминия и кремния ультракороткими лазерными импульсами ИК и видимого диапазона по откольному механизму измерены методом оптической микроскопии для длительности импульсов $\tau_{\text{las}}$ в диапазоне 0.2–12 пс. По мере увеличения длительности лазерных импульсов для $\tau_{\text{las}}<3\,$пс обнаружено резкое, почти трехкратное снижение порога абляции алюминия в видимом диапазоне при очень слабом изменении порога абляции материала ИК-излучением. Напротив, для кремния с ростом длительности импульсов отмечается практически трехкратный рост порога ИК-лазерной абляции, тогда как порог абляции видимым излучением остается практически неизменным. Для алюминия снижение порогов абляции связывается с резким уменьшением температурных градиентов для длительностей импульсов, превышающих характерное время электрон-фононной релаксации. Для кремния рост порога ИК-абляции объясняется двухфотонным поглощением, тогда как в видимом диапазоне постоянство порога связано с линейным поглощением материала.

Поступила в редакцию: 12.05.2016
Исправленный вариант: 18.05.2016

DOI: 10.7868/S0370274X16120031


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, 103:12, 752–755

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024