Аннотация:
На основе измерений низкотемпературной (5 K) микрофотолюминесценции в гетероструктуре с широкой квантовой ямой ZnSe/ZnMgSSe продемонстрировано существование изолированных (одиночных) дефектов, линии излучения которых претерпевают скачкообразное изменение спектрального положения на несколько мэВ в течение времени порядка 1–10 мин. Нестандартные свойства обнаруженных излучателей объяснены на основе представлений о системах, имеющих значительный дипольный момент в основном состоянии, таких как одиночные донорно-акцепторные пары или их аналоги, расположенные вблизи протяженных дефектов.