Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами

Исследовано резонансное магнитотуннелирование в гетероструктурах с однослойными листами графена, разделенными барьером из гексагонального нитрида бора, и двумя затворами, что позволило изучить переходы между индивидуальными уровнями Ландау, принадлежащими разным графеновым слоям, ограниченными узким окном проводимости, ширина которого регулируется смещающим напряжением. Построены и идентифицированы трехмерные карты равновесной туннельной проводимости в зависимости от напряжений на обоих затворах, отражающие движение резонансов между различными комбинациями индивидуальных уровней Ландау в верхнем и нижнем слоях. Обнаруженная ступенчатая структура карт тока с плато и резкими перескоками между ними обусловлена пиннингом химических потенциалов на уровнях Ландау в двух графеновых слоях. Наличие на вольтамперных характеристиках (ВАХ) в магнитном поле областей отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пикового тока к долинному $I_p/I_v\sim2$ свидетельствует о высокой степени сохранения параллельной интерфейсам компоненты импульса при туннелировании.