RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2016, том 104, выпуск 6, страницы 406–412 (Mi jetpl5067)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль

Ф. В. Кусмарцевa, В. Д. Кревчикb, М. Б. Семеновb, Д. О. Филатовc, А. В. Шороховd, А. А. Бухараевef, Ю. И. Дахновскийg, А.В. Николаевhi, Н. А. Пятаевd, Р. В. Зайцевb, П. В. Кревчикb, И. А. Егоровb, К. Ямамотоj, А. К. Арынгазинk

a Loughborough University, LE11 3TU Loughborough, United Kingdom
b Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия
c Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
d Мордовский государственный университет им. Огарёва, 430005 Саранск, Россия
e Казанский физико-технический институт им. Завойского Казанского научного центра РАН, 420029 Казань, Россия
f Казанский федеральный университет, 420008 Казань, Россия
g University of Wyoming, Laramie, WY 82071, USA
h Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Скобельцына МГУ им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
i Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
j Research Institute, International Medical Center, 2-25-22-304 Kohinata Bunkyo-ku, Tokyo, Japan
k iИнститут фундаментальных исследований Евразийского национального университета им. Гумилева, 010008 Астана, Казахстан

Аннотация: Экспериментально обнаружена серия острых резонансных особенностей в туннельной дифференциальной проводимости InAs квантовых точек. Показано, что эти особенности связаны с диссипативным квантовым туннелированием, которое оказывает сильное влияние на работу наноустройств. Из-за данного туннелирования вольт-амперная характеристика (ВАХ) туннельного контакта, созданного между наконечником зонда атомно-силового микроскопа и поверхностью InAs/GaAs квантовых точек, демонстрирует много интересных пиков. Найдено, что число, положение и высота данных пиков связаны с вовлеченными фононными модами. Для теоретического описания данного эффекта мы используем квазиклассическое приближение. В этом подходе туннельный ток связан с созданием разреженного инстантон-антиинстантонного газа. Наши экспериментальные данные хорошо описываются с помощью точно решаемой модели, в которой одна заряженная частица слабо взаимодействует с двумя фононными модами, связанными с внешней средой. Мы заключаем, что характеристики наноэлектронных устройств могут быть контролируемы подходящим выбором фононов, определяемых используемыми материалами.

Поступила в редакцию: 12.02.2016
Исправленный вариант: 01.08.2016

DOI: 10.7868/S0370274X16180065


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, 104:6, 392–397

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024