Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением

На образце гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой обнаружено, что в пределах одного индуцированного микроволновым излучением состояния со стремящимся к нулю сопротивлением возможны различные конфигурации доменов спонтанного электрического поля. Переходы между такими конфигурациями наблюдались при изменении как мощности излучения, так и магнитного поля. В общем случае конфигурация доменов оказывается сложнее существующих моделей. Для одной из наблюдавшихся конфигураций фрагмент распределения электрического поля в образце согласуется с ромбической доменной структурой, рассмотренной в работе I. G. Finkler and B. I. Halperin, Phys. Rev. B 79, 085315 (2009).