RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2017, том 105, выпуск 4, страницы 223–228 (Mi jetpl5196)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Особенности низкотемпературной теплоемкости мелкокристаллических ВТСП YBa$_2$Cu$_3$O$_{6.93}$, обусловленные наномасштабной структурной неоднородностью

Л. Г. Мамсуроваa, Н. Г. Трусевичa, С. Ю. Гаврилкинb, А. А. Вишневa, Л. И. Трахтенбергb

a Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, 119991 Москва, Россия
b Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Проведено сравнительное исследование низкотемпературной теплоемкости высокотемпературного сверхпроводника YBa$_2$Cu$_3$O$_y$ в области температур $2\div10$ К для двух типов образцов. К первому типу относятся оптимально допированные мелкокристаллические образцы с разной степенью наномасштабной структурной неоднородности, ко второму типу – крупнокристаллические равновесные образцы с разным уровнем дырочного допирования. Выявлена общность в поведении различных вкладов в теплоемкость для структурно неоднородных и недодопированных образцов. Для обоих типов образцов выявлен линейный по температуре металлический вклад ${\sim}\,\gamma T$, не свойственный сверхпроводящей фазе. Установлено, что при уменьшении содержания кислорода доля этого вклада умеренно возрастает, но при увеличении степени структурной неоднородности рост линейного вклада ($\gamma T$) становится аномально большим. Сделан вывод о сосуществовании металлических и сверхпроводящих электронных состояний в объеме исследуемых образцов и о возможной причастности этой общей особенности электронных систем к образованию псевдощелевого режима, который, как показано, подавляет именно сверхпроводящие состояния, оставляя без изменения металлические.

Поступила в редакцию: 17.11.2016
Исправленный вариант: 16.12.2016

DOI: 10.7868/S0370274X17040075


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, 105:4, 241–245

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024