Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата

Впервые наблюдалось воздействие магнитного поля на процессы релаксации дефектной структуры в сегнетоэлектрическом (немагнитном) кристалле триглицинсульфата (TGS). С помощью метода атомно-силовой микроскопии показано, что результатом воздействия постоянного слабого магнитного поля (2 Тл, 20 мин) является существенное изменение распределения по размерам дефектных нанокластеров, характерных для TGS. Известные из литературы и наблюдаемые в данной работе макроскопические эффекты последействия магнитного поля в TGS (медленная релаксация диэлектрической восприимчивости, симметризация петель диэлектрического $P$-$E$ гистерезиса, и т.д.) могут быть объяснены перераспределением центров пиннинга доменных стенок в результате магнитостимулированной реконфигурации дефектной структуры.