Двумерный электронный газ на границе сегнетоэлектрика Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ и антиферромагнетика LaMnO$_3$

Исследована температурная зависимость электросопротивления гетероструктур, состоящих из монокристаллических образцов антиферромагнетика LaMnO$_3$ различной ориентации с нанесенной на них эпитаксиальной пленкой сегнетоэлектрика Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$. Полученные результаты измерений электросопротивления сравниваются с поведением электросопротивления в монокристаллических образцах LaMnO$_3$ без пленок. Обнаружено, что в образцах с пленкой, в которой ось поляризации сегнетоэлектрика расположена перпендикулярно поверхности монокристалла, электросопротивление сильно падает, и при понижении температуры ниже 160 K демонстрирует металлический характер. Проведено моделирование структурных и электронных свойств гетероструктуры сегнетоэлектрик–антиферромагнетик: BaTiO$_3$/LaMnO$_3$. Показан переход в состояние двумерным электронным газом на интерфейсе.