Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремния

В работе исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiO$_x$N$_y$/SiO$_2$, SiO$_x$N$_y$/Si$_3$N$_4$ и SiN$_x$/Si$_3$N$_4$ с ультратонкими (1–1.5 нм) барьерными слоями SiO$_2$ или Si$_3$N$_4$. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150 $^\circ$С для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiO$_x$N$_y$ или SiN$_x$ номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов.