Магнитосопротивление в режиме движущейся волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe$_3$

Проведены измерения магнитосопротивления в квазидвумерном проводнике TbTe$_3$ с волной зарядовой плотности (ВЗП) в широком интервале температур и в магнитных полях до 17 Тл. При температуре, значительно ниже температуры пайерлсовского перехода, и в больших магнитных полях магнитосопротивление демонстрирует линейную зависимость от магнитного поля, обусловленную рассеянием нормальных носителей на “горячих” точках поверхности Ферми. В режиме движущейся ВЗП в слабых магнитных полях наблюдается качественное изменение магнитосопротивления, связанное с сильным рассеянием носителей на скользящей ВЗП.