Аннотация:
На поверхности полярного кристалла SiC с помощью металлической непрозрачной маски были сформированы “частицы” открытой поверхности, с размерами отверстий в маске порядка длины фонон-поляритонной волны. При облучении образца электромагнитной волной ($\lambda=10.68\,$мкм) на частоте вблизи решеточного резонанса SiC обнаружено значительное увеличение амплитуды поля поверхностных фонон-поляритонных волн над такими “частицами” по сравнению с бесконечной открытой поверхностью SiC. Это явление, наблюдаемое нами в ИК-диапазоне, аналогично плазмонному резонансу на малых частицах металла в видимом диапазоне, однако пространственное разрешение использованного ASNOM (не хуже $30$ нм на длине волны $10$ мкм) делает полученное распределение поля в ИК-диапазоне более детальным. Карты распределения амплитуды и фазы локального поля над поверхностью SiC, полученные с помощью ASNOM, находятся в хорошем количественном согласии с расчетами конфигурации фонон-поляритонных волн, использующими функцию Грина.