Равновесная и неравновесная спиновая поляризация в окрестности фактора заполнения 3/2

Экспериментально исследованы особенности спиновой поляризации электронной системы и релаксации неравновесных спиновых возбуждений в окрестности дробного состояния с четным знаменателем 3/2 в двумерной электронной системе на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Показано, что состояние 3/2 является особой точкой в зависимости спинового упорядочения двумерной электронной системы от фактора заполнения, на которой спиновая подсистема перестраивается. Обнаружена область факторов заполнения в окрестности 3/2, где наблюдается гигантское замедление релаксации спиновых возбуждений в основное состояние.