Аннотация:
Экспериментально обнаружена немонотонная зависимость от магнитного поля изменения амплитуды квантовых магнетоосцилляций емкости полевых транзисторов под микроволновым облучением, включающая в себя эффект усиления амплитуды осцилляций в результате облучения. Показано, что такое поведение обусловлено загибом зон около границы затвора. Эффект объяснен интерференцией квантовых осцилляций с индуцированными излучением магнетоосцилляциями длины экранирования статического электрического поля.
Поступила в редакцию: 22.08.2018 Исправленный вариант: 03.09.2018