Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки

Метаморфные лазерные гетероструктуры In(Sb,As)/In$_{0.81}$Ga$_{0.19}$As/In$_{0.75}$Al$_{0.25}$As с составными квантовыми ямами InSb/InAs/InGaAs на основе субмонослойных вставок InSb в $10$ нм-InAs были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). В таких структурах без оптического резонатора продемонстрировано стимулированное излучение на длине волны $\lambda\sim 2.86 \,$мкм при температурах $10$–$60$ К в условиях оптической накачки. Пороговая плотность мощности накачки составила $\sim$ 5 кВт/см$^2$ при температуре $10$ К.