Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой

Исследованы особенности сжимаемости электронов в двухслойной электронной системе, реализуемой в двойной квантовой яме GaAs. Обнаружены проявления отрицательной величины сжимаемости двумерной электронной системы малой плотности в нулевом и квантующем магнитных полях. В слое большей плотности обнаружено значительное уширение по магнитному полю областей существования несжимаемой фазы на факторах заполнения разрешенных по спину уровней Ландау 2 и 1, обусловленное заполнением второго слоя. Эффект объясняется стабилизацией состояния квантового эффекта Холла за счет перехода электронов из слоя меньшей плотности. Получены оценки скачков химического потенциала для соответствующих состояний квантового эффекта Холла.