Теоретическое исследование электронных и оптических свойств гетероструктуры на основе молекул органического полупроводника PTCDA и MoSe$_2$

В работе представлено теоретическое исследование структурных и физико-химических свойств гетероструктуры MoSe$_2$/PTCDA, сочетающей в себе двумерный неорганический и молекулярный органический полупроводники. Методами DFT были описаны особенности изменения электронных свойств мономолекулярного слоя PTCDA на поверхности MoSe$_2$. Количественный анализ переноса заряда между компонентами гетероструктуры объяснил особенности связывания между слоями. Исследование оптических характеристик гетероструктры показало усиление спектра поглощения в инфракрасном диапазоне, что говорит о перспективности применения гетероструктур MoSe$_2$/PTCDA в областях электроники и оптоэлектроники и связанных с утилизацией солнечной энергии материалов.