РККИ-взаимодействие в одномерном кристалле с беспорядком и температурой

Получено аналитическое выражение для энергии косвенного обменного взаимодействия двух магнитных примесей в одномерном кристалле с учетом наличия как беспорядка, так и температуры. Включение даже слабого беспорядка в одномерном кристалле приводит к локализации носителей заряда в нем, и, как следствие, к подавлению дальнодействующего косвенного обменного взаимодействия (РККИ-взаимодействия) между двумя магнитными примесями на длине локализации носителей заряда. Увеличение температуры, в свою очередь, приводит к исчезновению когерентности электронной плотности, за счет которой обеспечивается РККИ-взаимодействие. Показано, что оба эти эффекта оказывают влияние независимо друг от друга и приводят к экспоненциальному подавлению величины обменного взаимодействия с увеличением расстояния между примесями. Другое важное проявление беспорядка заключается в изменении степенной зависимости от расстояния между примесями: взаимодействие РККИ спадает с расстоянием быстрее, чем $1/r$.