RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
// Архив
Письма в ЖЭТФ,
2020
, том 112,
выпуск 2,
страницы
112–113
(Mi jetpl6219)
Эта публикация цитируется в
11
статьях
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination
A. V. Inyushkin
a
,
A. N. Taldenkov
a
,
D. A. Chernodubov
a
,
V. V. Voronenkov
b
,
Yu. G. Shreter
cb
a
National Research Center Kurchatov Institute, 123182 Moscow, Russia
b
Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
c
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 195251 St. Petersburg, Russia
Поступила в редакцию:
19.05.2020
Исправленный вариант:
01.06.2020
Принята в печать:
02.06.2020
Язык публикации:
английский
DOI:
10.31857/S1234567820140086
Полный текст:
PDF файл (155 kB)
Список литературы
Список цитирования
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020,
112
:2,
106–111
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024